2708 EEPROM PDF

История[ править править код ] Разработка ячеек памяти EPROM началась с расследования дефектности интегральных схем, в которых затворы транзисторов оказались разрушенными. Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства. Принцип действия[ править править код ] Разрез транзистора с плавающим затвором. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства.

Author:Dolrajas Milkis
Country:Panama
Language:English (Spanish)
Genre:Video
Published (Last):5 March 2005
Pages:402
PDF File Size:9.74 Mb
ePub File Size:1.82 Mb
ISBN:983-2-37565-354-3
Downloads:59927
Price:Free* [*Free Regsitration Required]
Uploader:Vojas



Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства. Принцип действия Разрез транзистора с плавающим затвором. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод кремний или алюминий , и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде.

Плавающий затвор не имеет связи с другими частями интегральной схемы и полностью изолирован от окружающих слоёв оксида. На затвор наносится управляющий электрод, который затем покрывается оксидом. Каждый бит этого слова имеет значение 1 или 0, в зависимости от того, был включён или выключен транзистор, был он в проводящем состоянии или непроводящем.

Переключение состояния полевого транзистора управляется напряжением на управляющем затворе транзистора. По сути накопленный заряд на плавающем затворе позволяет пороговому напряжению транзистора программировать его состояние. Для запоминания данных требуется выбрать нужный адрес и подать более высокое напряжение на транзисторы. Это создаёт лавинный разряд электронов, которые получают достаточно энергии, чтобы пройти через изолирующий слой окисла и аккумулироваться на управляющем электроде.

Когда высокое напряжение снимается, электроны оказываются запертыми на электроде. Чтобы стереть данные, хранящиеся в матрице транзисторов, на неё направляется ультрафиолетовый свет. Фотоны ультрафиолетового света создают ионизацию в оксиде кремния, что позволяет заряду, хранящемуся на плавающем затворе, рассеяться.

Так как вся матрица памяти подвергается обработке, то все данные стираются одновременно. Процесс занимает несколько минут для УФ-ламп небольших размеров. Солнечный свет будет стирать чип в течение нескольких недель, а комнатная люминесцентная лампа — в течение нескольких лет. В ней матрица памяти монтируется в непрозрачную оболочку, которая не может быть разрушена после программирования.

Это устраняет необходимость тестирования функции стирания, что также снижает расходы на изготовление. Запрограммированная память EPROM сохраняет свои данные на десять-двадцать лет, и может быть прочитана неограниченное число раз. Экспозиция солнечным светом в течение 1 недели или освещение комнатной флуоресцентной лампой в течение 3 лет может привести к стиранию.

Стирание может быть также выполнено с помощью рентгеновских лучей : "Стирание может быть сделано неэлектрическими методами, так как управляющий электрод электрически недоступен. Освещение ультрафиолетовым светом любой части неупакованного устройства вызывает фототок, который течёт из плавающего затвора на кремниевую подложку, тем самым переводя затвор в исходное незаряженное состояние. Этот метод стирания позволяет осуществлять полное тестирование и коррекция сложных матриц памяти до корпусования.

Диоксид кремния около затвора накапливает постепенные разрушения при каждом цикле, что делает чип ненадёжным после нескольких тысяч циклов стирания. Программирование EPROM выполняется доволньно медленно по сравнению с другими типами памяти, потому что участки с более высокой плотностью оксида между слоями соединений и затвора получают меньше экспозиции.

Ультрафиолетовое стирание становится менее практичным для очень больших размеров памяти. Даже пыль внутри корпуса может препятствовать некоторым ячейкам памяти выполнить стирание. Однако, чтобы их сделать, требуется несколько недель времени, так как нужно выполнить сложные работы для рисования маски каждого слоя интегральной схемы. Первоначально предполагалось, что EPROM будет стоить слишком дорого для массового производства и использования, поэтому планировалось ограничиться выпуском только опытных образцов.

Вскоре выяснилось, что небольшие объёмы производства EPROM экономически целесообразны, особенно, когда требуется быстрое обновление прошивки. Подобно чипам EPROM, такие микроконтроллеры перешли на оконную дорогую версию, что было полезно для отладки и разработки программ. Вскоре эти чипы стали делать по технологии PROM с непрозрачным корпусом что несколько снизило стоимость его производства.

Освещение матрицы памяти такого чипа светом могло также изменить его поведение непредсказуемым образом, когда производсто переходило с изготовления оконного варианта на безоконный. Хотя партии одного типа от разных производителей совместимы по чтению данных, есть небольшие различия в процессе программирования. Однако, поскольку это не универсально, программное обеспечение также позволяет ручную настройку на производителя и тип устройства микросхемы для обеспечения правильного режима программирования.

APPLESOFT BASIC PROGRAMMING REFERENCE MANUAL PDF

2708 / 2704 EPROM reader / programmer

Хранимые заряды в этих изолированных затворах изменили их свойства. Принцип действия Разрез транзистора с плавающим затвором. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала.

DISCWORLD MASKERADE PDF

The 24U universal 24 pin EPROM replacement kit

The small quartz window admits UV light for erasure. Development of the EPROM memory cell started with investigation of faulty integrated circuits where the gate connections of transistors had broken. Stored charge on these isolated gates changes their threshold voltage. In , he noted the movement of charge through oxide onto a gate. Patent 3,, in Each field-effect transistor consists of a channel in the semiconductor body of the device. Source and drain contacts are made to regions at the end of the channel.

BA5415A PDF

This number indicates quantity of items that could be produced from components in stock. Reasonable quantity of this product can be available within 3 working days. Open the module ZIF socket by lever lever is at upper position. Insert the device into it according to the picture placed near of it and close module ZIF socket by lever lever is at lower position.

GIOVANNI CLANBOOK PDF

This kit is a very small adapter board that can take a cheap and easy to find 28 pin EPROM , , , and can use it to replace a , or Note: the 24U will NOT replace a TMS Why I created this kit as I work on a lot of early 80s arcade games, and was getting tired of finding and stocking s and s. They are fairly hard to find without spending a lot of time, they are VERY expensive, and often the ones I received seemed bad as many would not program. I was pushed over the edge when I started working on bunch of boards that used s which many modern programmers will not program. This adapter board allow me to only buy one type of cheap and easy to find 28 pin EPROM chip and not have to stock so many other types. There is NO need to "double, triple, or quadruple" the image on the new chip, simply burn the original ,, or data file onto the new chip as-is.

Related Articles